2.人為因素
（1）進(jìn)線接在出線的端子上（2）變頻器接錯(cuò)電源（3）沒(méi)按要求接負(fù)載 
3.常見(jiàn)原因：（1）過(guò)電流 ：一種是負(fù)載短路雙向互動，另一種是控制電路處邏輯受干擾，導(dǎo)致上下橋臂元件直通設計能力。
（2）絕緣的損壞
（3）過(guò)電壓 ：通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產(chǎn)生的尖峰電壓而造成品牌，解決的辦法就是設(shè)計(jì)高性能吸收回路，降低線路雜散電感更為一致。
（4）過(guò)熱 ：IGBT不能完全導(dǎo)通等形式，在有電流的情況下元件損耗增大，溫度增加導(dǎo)致?lián)p壞研究與應用。
（5）通訊誤碼率
a.通訊一段時(shí)間后飛躍，突然的錯(cuò)誤信息導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸
b.通訊板FPGA程序運(yùn)行不穩(wěn)定導(dǎo)致IGBT誤導(dǎo)通使IGBT爆炸
4．其他原因
（1）電路中過(guò)流檢測(cè)電路反應(yīng)時(shí)間跟不上。
（2）IGBT短路保護(hù)是通過(guò)檢測(cè)飽和壓降全面協議，而留給執(zhí)行機(jī)構(gòu)的時(shí)間一般是10us（8倍過(guò)流）重要部署。在上電的時(shí)候容易燒預(yù)充電電阻和制動(dòng)單元里的IGBT。
（3）工藝問(wèn)題：銅排校著勁工具、螺絲擰不緊等智慧與合力。
（4）短時(shí)大電流：原因也有很多，比如死區(qū)沒(méi)設(shè)置好醒悟、主電路過(guò)壓數據顯示、吸收電路未做好。
（5）驅(qū)動(dòng)電源也是個(gè)應(yīng)該特別注意的問(wèn)題也逐步提升，該隔離加隔離記得牢、該濾波加濾波。
（6）電機(jī)沖擊反饋電壓過(guò)大導(dǎo)致IGBT爆炸重要的作用。但對(duì)于充電時(shí)爆炸的情況發(fā)生的概率不是很大蓬勃發展。
（7）電機(jī)啟動(dòng)時(shí)，輸入測(cè)電壓瞬間跌落積極回應，電容放電。輸入測(cè)電壓恢復(fù)后電容充電時(shí)的浪涌電流過(guò)大致使永磁同步電機(jī)變頻器IGBT爆炸